光器的创面圈,它山s星导体结构组成,其中月InGaAsP 是有源区(发(发光的作用区)有源区的粮子数反转分布的件靠注入正向电请来实现。其上下尚层称为限制层。它们和有源区构成光学请振胞,限制的和作用区之间形成外质结。较下面一层n-lnP 是村底,**层P JnGaAsP是接触层,其作月是为了改善和金属电极的接触。**层上面数像来室的窗口为条形电板。 双静质结条形康光器示意用(2) LD的工作特性属于半导体二极管的范畴,除具有二极管的一股特性外, 还具有特殊的光频特性,①发射波长半导体澈光器的发射波长取决于激话区的电子从导带跃迁到价带时所释放出的能量近似禁带宽度E,以及光学请振腔的选频作用。AIGaAs 半导体激光器的发射波长范围是0.8~09um. InGaAsP 半导体激光器发射波长在长波长区城,大约是1~ 1.7μm.不被称为调值电流。对于半导体激光器,当外加正向电流较小时,即I
在光纤通信系统中报事地方需要用到光放大器,根据光放大器在光纤链路中所处位置的不同,其应用可以分成线路放大器、前放大器 和功率放大路,
续工作的半导体激光昌输出功率的典型值为I ~ 501100 1910mW,工作电流般在调值电流以上20~ 40mA.如 工作电话mA 果工作电流**过制造商建议的工作电流。将会缩短激光 做光器输出特性曲线器的寿命。 ③光谱特性半导体激光器的光谱随着驱动电流的变化面变化。当1
然面有一个PIN 光电二极管结构不能解决的问题,本征层的宽度。虽然加宽耗尽层有益处,创因传送时间的增大南降低了有应速度.
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